2N267 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N267
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.035 W
Tensión colector-base (Vcb): 12 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO5
- Selección de transistores por parámetros
2N267 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... 2N2662 , 2N2663 , 2N2664 , 2N2665 , 2N2666 , 2N2667 , 2N2668 , 2N2669 , BC549 , 2N2670 , 2N2671 , 2N2672 , 2N2672A , 2N2673 , 2N2674 , 2N2675 , 2N2676 .
History: 2N3326 | KC556 | 2SC3468F | U2T723 | 2N3843A | 2SD908 | KT3126A9
History: 2N3326 | KC556 | 2SC3468F | U2T723 | 2N3843A | 2SD908 | KT3126A9



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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