BC413BP Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BC413BP
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 180
Encapsulados: TO92
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BC413BP datasheet
gc520-k gc521-k gc522-k bc413b-c kc147 kc148 kc149 kc237a-b-v kc238a-b-c kc239f-b-c kc507 kc508 kc509 kc635 kc637 kc639.pdf
bc413 bc414 b c.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company BC413, B, C NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BC414, B, C TO-92 Plastic Package E B C ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) DESCRIPTION SYMBOL BC413 BC414 UNITS Collector Emitter Voltage VCEO 30 45 V Collector Base Voltage VCBO 45 50 V Emitter Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Current
Otros transistores... BC409 , BC409B , BC409C , BC410 , BC411 , BC412 , BC413 , BC413B , C1815 , BC413C , BC413CP , BC414 , BC414B , BC414BP , BC414C , BC414CP , BC415 .
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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