2SB861-C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SB861-C
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO220
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2SB861-C Datasheet (PDF)
2sb861.pdf

2SB861Silicon PNP Triple DiffusedApplicationLow frequency power amplifier color TV vertical deflection output complementary pair with 2SD1138OutlineTO-220AB1. Base2. Collector(Flange)13. Emitter23Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Rating UnitCollector to base voltage VCBO 200 VCollector to emitter voltage VCEO 150 VEmitter to base voltage VE
2sb861.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB861 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD1138 APPLICATIONS Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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