2SB861-C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SB861-C
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO220
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2SB861-C datasheet
2sb861.pdf
2SB861 Silicon PNP Triple Diffused Application Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output complementary pair with 2SD1138 Outline TO-220AB 1. Base 2. Collector (Flange) 1 3. Emitter 2 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Rating Unit Collector to base voltage VCBO 200 V Collector to emitter voltage VCEO 150 V Emitter to base voltage VE
2sb861.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB861 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD1138 APPLICATIONS Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
Otros transistores... 2SB772GP , BC847ALT1 , BC847AR , BC847AW , BC847AWT1 , BC847B , 2SB857-D , 2SB861-B , 13009 , 2SB891F , 2SB963-Z , BC847BLT1 , BC847BR , BC847BW , BC847BWT1 , BC847C , BC847CLT1 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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