BCF30 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BCF30
Código: C8_C8p
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 32 V
Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 215
Encapsulados: SOT23
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BCF30 datasheet
bcf29 bcf30 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BCF29; BCF30 PNP general purpose transistors 1997 May 22 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose transistors BCF29; BCF30 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (
Otros transistores... BCE109 , BCE177 , BCE178 , BCE179 , BCF29 , BCF29B , BCF29C , BCF29R , S8050 , BCF30R , BCF32 , BCF32R , BCF33 , BCF33R , BCF39 , BCF39B , BCF39C .
History: 2N694
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