2N2775 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N2775
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 15 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO61
- Selección de transistores por parámetros
2N2775 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N2768 , 2N2769 , 2N277 , 2N2770 , 2N2771 , 2N2772 , 2N2773 , 2N2774 , 2SC2922 , 2N2776 , 2N2777 , 2N2778 , 2N2779 , 2N277A , 2N278 , 2N2780 , 2N2781 .
History: GN4F4N | BC847BLD | TN5136 | FJY3014R | FSB660A | BT2222A | BC849C-AU
History: GN4F4N | BC847BLD | TN5136 | FJY3014R | FSB660A | BT2222A | BC849C-AU



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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