121-1058 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 121-1058
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 6.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO202
- Selección de transistores por parámetros
121-1058 Datasheet (PDF)
r07ds0271ej 2sa1121-1.pdf

Preliminary Datasheet R07DS0271EJ03002SA1121 (Previous: REJ03G0636-0200)Rev.3.00Silicon PNP Epitaxial Mar 28, 2011Application Low frequency amplifier Complementary pair with 2SC2618 Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)1. Emitter32. Base3. Collector12Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item Symbol Ratings UnitCollec
Otros transistores... 121-1003 , 121-1019 , 121-1029 , 121-1029-01 , 121-1033 , 121-1037 , 121-1039 , 121-1040 , 13009 , 121-1061-01 , 121-477 , 121-695 , 121-713 , 121-744 , 121-746 , 121-755 , 121-792 .
History: 2SC496O | 2SD667A-D | DK313 | 16300 | 2SC496R | 2SC5024O | 2SC5048
History: 2SC496O | 2SD667A-D | DK313 | 16300 | 2SC496R | 2SC5024O | 2SC5048



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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