BCW60ALT1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BCW60ALT1
Código: AA
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 32 V
Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 125 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: TO236
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BCW60ALT1
BCW60ALT1 Datasheet (PDF)
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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BCW60ALT1/DBCW60ALT1General Purpose TransistorsBCW60BLT1NPN SiliconCOLLECTORBCW60DLT131BASE32EMITTER12MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)CollectorEmitter Voltage VCEO 32 VdcCollectorBase Voltage VCBO 32 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0
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BCW60A/B/C/DGeneral Purpose Transistor32SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 32 V VCEO Collector-Emitter Voltage 32 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 100 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG
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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD Package BCW60A BCW60BBCW60C BCW60DSILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSNPN silicon transistorsMarkingBCW60A = AABCW60B = ABPACKAGE OUTLINE DETAILSBCW60C = ACALL DIMENSIONS IN mmBCW60D = ADPin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOL
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
