BCW65CLT1 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BCW65CLT1
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 32 V
Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 250
Encapsulados: SOT23
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BCW65CLT1 datasheet
bcw65clt1g.pdf
BCW65ALT1G, BCW65CLT1G General Purpose Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR 3 Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER Collector - Emitter Voltage VCEO 32 Vdc Collector - Base Voltage VCBO 60 Vdc 3 Emitter - Base Voltage VEBO 5.0 Vdc 1 Collector Current - Cont
bcw65alt1g bcw65clt1g.pdf
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bcw65 bcw66.pdf
NPN Silicon AF Transistors BCW 65 BCW 66 For general AF applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types BCW 67, BCW 68 (PNP) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 BCW 65 A EAs Q62702-C1516 B E C SOT-23 BCW 65 B EBs Q62702-C1612 BCW 65 C ECs Q62702-C1479 BCW 66 F EFs Q62702-C1892 BCW 66 G EGs Q627
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