BCW67B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCW67B

Código: DB

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 32 V

Tensión colector-emisor (Vce): 32 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: SOT23

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BCW67B datasheet

 ..1. Size:12206K  sprague
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BCW67B

 9.1. Size:134K  siemens
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BCW67B

PNP Silicon AF Transistors BCW 67 BCW 68 For general AF applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types BCW 65, BCW 66 (NPN) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 BCW 67 A DAs Q62702-C1560 B E C SOT-23 BCW 67 B DBs Q62702-C1480 BCW 67 C DCs Q62702-C1681 BCW 68 F DFs Q62702-C1893 BCW 68 G DGs Q627

 9.2. Size:53K  diodes
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BCW67B

SOT23 PNP SILICON PLANAR BCW67 MEDIUM POWER TRANSISTORS BCW68 ISSUE 4 - JUNE 1996 T I D T I D . D E C D 8 D 8 T 8 D 8 T B 8 D 8 T T SOT23 8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T 8 IT II i V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I 8 I V V Di i i T V i T T T V V V V V V V V BCW67 BCW68 ELECTRICAL CHARACT

 9.3. Size:527K  infineon
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BCW67B

BCW67, BCW68 PNP Silicon AF Transistors For general AF applications 2 3 High current gain 1 Low collector-emitter saturation voltage Complementary types BCW66... (NPN) Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 Type Marking Pin Configuration Package BCW67A DAs 1=B 2=E 3=C SOT23 BCW67B DBs 1=B 2=E 3=C SOT23 BCW67C DCs 1=B 2=E 3=C SOT23

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