BCX20R Todos los transistores

 

BCX20R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BCX20R
   Código: U5
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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BCX20R Datasheet (PDF)

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BCX20R

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BCX20R

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BCX17LT1/DCOLLECTOR 3PNPGeneral Purpose1BCX17LT1BASETransistorsBCX18LT12 EMITTERNPNCOLLECTOR 3BCX19LT1BCX20LT11BASEVoltage and current are negative for PNP transistors2 EMITTER3MAXIMUM RATINGS1Value 2BCX17LT1 BCX18LT1CASE 31808, STYLE 6Rating Symbol BCX19LT1 BCX20LT1 UnitSOT

 9.2. Size:77K  fairchild semi
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BCX20R

January 2005BCX20NPN Epitaxial Silicon TransistorSwitching and Amplifier Applications32SOT-231Marking: U21. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current (DC) 800 APC Collector

 9.3. Size:181K  cdil
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BCX20R

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD Package BCX19BCX20SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSNPN transistorsMarkingBCX19 = U1BCX20 = U2Pin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSBCX19 BCX20Collectoremitter voltage (VBE = 0) VCES max. 50 30 VCollecto

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History: 2SB1184R

 

 
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