BCY70P . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BCY70P
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO18
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BCY70P
BCY70P Datasheet (PDF)
bcy70 bcy71 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D361BCY70; BCY71PNP general purpose transistors1997 Jul 11Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistors BCY70; BCY71FEATURES PINNING Low current (max. 200 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 e
bcy70dcsm.pdf
BCY70DCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar PNP Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 40V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.2A C(0.05
bcy70 bcy71 bcy72.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BCY70 , 71, 72 TO-18 Metal Can PackageGeneral Purpose Industrial Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL BCY70 BCY71 BCY72 UNITCollector Emitter Voltage VCEO 40 45 25 VCollector Base Voltage VCB
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: UMG1N
History: UMG1N
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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