BCY72QF Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BCY72QF
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: LCC3
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BCY72QF datasheet
bcy72dcsm.pdf
BCY72DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar PNP Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 25V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.2A C (0.05
bcy70 bcy71 bcy72.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BCY70 , 71, 72 TO-18 Metal Can Package General Purpose Industrial Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL BCY70 BCY71 BCY72 UNIT Collector Emitter Voltage VCEO 40 45 25 V Collector Base Voltage VCB
Otros transistores... BCY71AP, BCY71AQ, BCY71CSM, BCY71QF, BCY72, BCY72AQ, BCY72CSM, BCY72P, BC639, BCY76, BCY77, BCY77-10, BCY77-7, BCY77-8, BCY77-9, BCY77A, BCY77AP
History: 3DD62
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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