2N1011 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1011
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 40 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 95 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO3
Otros transistores... 2N1006 , 2N1007 , 2N1008 , 2N1008A , 2N1008B , 2N1009 , 2N101 , 2N1010 , 8050 , 2N101-13 , 2N1012 , 2N1013 , 2N1014 , 2N1015 , 2N1015A , 2N1015B , 2N1015C .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050