BCY79-9 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BCY79-9
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 180 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
   Paquete / Cubierta: TO18

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BCY79-9

BCY79-9 Datasheet (PDF)

8.1. Size:717K st
bcy79-1.pdf

BCY79LOW NOISE AUDIO AMPLIFIERDESCRIPTION The BCY79 is a silicon Planar Epitaxial PNPtransistor in Jedec TO-18 metal case. It isintented for use in audio input stages, driverstages and low-noise input stages.The NPN complementary type is BCY59.TO-18INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCES Collector-Emitter Voltage (VBE = 0) -4

8.2. Size:540K central
bcy79-x.pdf

BCY78, VII, VIII, IX, XBCY79, VII, VIII, IX, Xwww.centralsemi.comSILICONDESCRIPTION:PNP TRANSISTORSThe CENTRAL SEMICONDUCTOR BCY78 and BCY79 series types are silicon PNP epitaxial planar transistors, mounted in a hermetically sealed metal case, designed for low noise amplifier and switching applications.MARKING: FULL PART NUMBERTO-18 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C unless

8.3. Size:540K central
bcy79-viii.pdf