BD165 Todos los transistores

 

BD165 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD165
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO126
     - Selección de transistores por parámetros

 

BD165 Datasheet (PDF)

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BD165

Order this documentMOTOROLAby BD165/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABD165BD169Plastic Medium Power SiliconNPN Transistor1.5 AMPERE. . . designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasiPOWER TRANSISTORScomplementary circuits.NPN SILICON DC Current Gain hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc 45,

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BD165

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-126 (SOT-32) Plastic Package BD165, BD167, BD169BD165, 167, 169 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORSComplementary BD166, 168, 170Audio Amplifier and Driver Circuit ApplicationsPIN CONFIGURATION1. EMITTER2. COLLECTOR3. BASE123ALL DIMENSIONS IN MMABSOLUTE MAXIMUM RATINGS165 167 169

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History: CH847BGP | D44H8 | KTC3103B1 | BC538-16 | EMD2 | NSVBCP69T1G | 3DD201

 

 
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