BD227 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD227
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 60 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO126
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BD227 datasheet
bd227 bd229 bd231.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor BD227/229/231 DESCRIPTION DC Current Gain- hFE= 40(Min)@ IC= -0.15A Complement to Type BD226/228/230 APPLICATIONS Designed for use in driver stages in television circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT BD227 -45 VCBO Collector-Base Voltage BD229 -60 V
Otros transistores... BD222 , BD223 , BD224 , BD225 , BD226 , BD226-10 , BD226-16 , BD226-6 , 2SC2625 , BD227-10 , BD227-16 , BD227-6 , BD228 , BD228-10 , BD228-16 , BD228-6 , BD229 .
History: BD203
History: BD203
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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