BD232 Todos los transistores

 

BD232 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD232
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 11 W
   Tensión colector-base (Vcb): 500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO126

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BD232 Datasheet (PDF)

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BD232
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isc Silicon NPN Power Transistor BD232DESCRIPTIONGood Linearity of hFEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 300V(Min)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in power output stages and line driverin TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

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History: 2SC367GO | FC4228B | GT404V | PN3903

 

 
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