BD232 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD232
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 11 W
Tensión colector-base (Vcb): 500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO126
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BD232 Datasheet (PDF)
bd232.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BD232DESCRIPTIONGood Linearity of hFEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 300V(Min)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in power output stages and line driverin TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
Otros transistores... BD230 , BD230-10 , BD230-16 , BD230-6 , BD231 , BD231-10 , BD231-16 , BD231-6 , 2SD669 , BD232G , BD233 , BD233-10 , BD233-16 , BD233-6 , BD233G , BD234 , BD234-10 .
History: 2SB56A | NTE2550 | ECG2358 | BDX24-4 | D40DU10
History: 2SB56A | NTE2550 | ECG2358 | BDX24-4 | D40DU10



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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