BD257-80 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD257-80
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TOP3
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BD257-80 Datasheet (PDF)
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History: DDTA123TE | 2SC5551A | HEPS3028 | FZT694B | 3DD4518A6D | DTC115EUAFRA | INA5008AH1
History: DDTA123TE | 2SC5551A | HEPS3028 | FZT694B | 3DD4518A6D | DTC115EUAFRA | INA5008AH1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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