BD377-16 Todos los transistores

 

BD377-16 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD377-16

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 75 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO126

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BD377-16 datasheet

 9.1. Size:42K  fairchild semi
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BD377-16

BD375/377/379 Medium Power Linear and Switching Applications Complement to BD376, BD378 and BD380 respectively TO-126 1 NPN Epitaxial Silicon Transistor 1. Emitter 2.Collector 3.Base Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BD375 50 V BD377 75 V BD379 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage BD375

 9.2. Size:251K  shantou-huashan
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BD377-16

 9.3. Size:157K  inchange semiconductor
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BD377-16

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BD375/377/379 DESCRIPTION DC Current Gain- hFE= 20(Min)@ IC= 1A Complement to Type BD376/378/380 APPLICATIONS Designed for medium power linear and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT BD375 50 VCBO Collector-Base Voltage BD377 75 V

Otros transistores... BD375-6 , BD376 , BD376-10 , BD376-16 , BD376-25 , BD376-6 , BD377 , BD377-10 , 2N3906 , BD377-25 , BD377-6 , BD378 , BD378-10 , BD378-16 , BD378-25 , BD378-6 , BD379 .

 

 

 


 
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