2N2880 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N2880

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO62

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2N2880 datasheet

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2N2880

TECHNICAL DATA PNP POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/315 Devices Qualified Level JAN 2N2880 2N3749 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 80 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 110 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 8.0 Vdc VEBO Base Current I 0.5 Adc B Collector Current 5.0 Adc IC Total Power Dissipation

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2N2880

7516 Central Industrial Drive Riviera Beach, Florida 33404 PHONE (561) 842-0305 FAX (561) 845-7813 2N2880 APPLICATIONS Fast Switching High Frequency Switching and Amplifying 5 Amp, 80V, Planar, NPN FEATURES Power Transistors High Reliability Greater Gain Stability JAN,JTX,JANTXV,JANS DESCRIPTION DESCRIPTION These power transistors are produced by PPC's DO

Otros transistores... 2N2872, 2N2873, 2N2874, 2N2875, 2N2876, 2N2877, 2N2878, 2N2879, 13009, 2N2880-220M, 2N2881, 2N2882, 2N2883, 2N2884, 2N2885, 2N2886, 2N2887