BD724 Todos los transistores

 

BD724 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD724
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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BD724 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  inchange semiconductor
 bd720 bd722 bd724 bd726.pdf pdf_icon

BD724

isc Silicon PNP Power Transistor BD720/722/724/726DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 20(Min)@ I = -2AFE CComplement to Type BD719/721/723/725Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output and general purposeamplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 ..2. Size:209K  inchange semiconductor
 bd724.pdf pdf_icon

BD724

isc Silicon PNP Power Transistor BD724DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40@ I = -0.5AFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage -: V = -100V(Min)(BR)CEOComplement to type BD723Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output and general purposeamplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RA

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History: 2N4211 | CHDTA124EEGP | MJE13001A1

 

 
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