BD825-16 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD825-16
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 125 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO202
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BD825-16
BD825-16 Datasheet (PDF)
bd825 bd829.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D067BD825; BD829NPN power transistorsProduct specification 1998 May 29Supersedes data of 1997 Jun 20File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN power transistors BD825; BD829FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 emitter2
bd825.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD825DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 45V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD826Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
