BD825A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BD825A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 125 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO202

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BD825A

BD825A Datasheet (PDF)

9.1. Size:51K philips
bd825 bd829.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D067BD825; BD829NPN power transistorsProduct specification 1998 May 29Supersedes data of 1997 Jun 20File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN power transistors BD825; BD829FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 emitter2

9.2. Size:211K inchange semiconductor
bd825.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD825DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 45V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD826Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BC846BMB

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

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