BD825B Todos los transistores

 

BD825B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD825B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 125 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO202
 

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BD825B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:51K  philips
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BD825B

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D067BD825; BD829NPN power transistorsProduct specification 1998 May 29Supersedes data of 1997 Jun 20File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN power transistors BD825; BD829FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 emitter2

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
 bd825.pdf pdf_icon

BD825B

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD825DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 45V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD826Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.

Otros transistores... BD818 , BD818A , BD825 , BD825-10 , BD825-16 , BD825-25 , BD825-6 , BD825A , BC556 , BD826 , BD826-10 , BD826-16 , BD826-25 , BD826-6 , BD826A , BD826B , BD827 .

History: 2N6057 | ECG471

 

 
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