BD826-25 Todos los transistores

 

BD826-25 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD826-25
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: TO202
 

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BD826-25 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:216K  inchange semiconductor
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BD826-25

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor BD826DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -45V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD825Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: NKT613F | 2SB985T | 2SC3182NR

 

 
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