BD828-6 Todos los transistores

 

BD828-6 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD828-6
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO202
 

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BD828-6 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:211K  inchange semiconductor
 bd828.pdf pdf_icon

BD828-6

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor BD828DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -60V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD827Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: NXP3875G | CSC1162D | KT301D

 

 
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