BD830 Todos los transistores

 

BD830 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD830
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO202
 

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BD830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  philips
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BD830

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D067BD830PNP power transistorProduct specification 1999 Apr 21Supersedes data of 1998 May 29Philips Semiconductors Product specificationPNP power transistor BD830FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 emitter2 collector, connected to metal part ofAPPLICATIONS mounti

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
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BD830

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor BD830DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -100V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD829Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.

Otros transistores... BD828B , BD829 , BD829-10 , BD829-16 , BD829-25 , BD829-6 , BD829A , BD829B , S9018 , BD830-10 , BD830-16 , BD830-25 , BD830-6 , BD830A , BD830B , BD833 , BD834 .

History: 2S451 | 2N3925 | 2N698 | AD-BC856-A

 

 
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