BDV66 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDV66
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 16 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 2000
Encapsulados: TOP3
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BDV66 datasheet
bdv66 bdv66a bdv66b bdv66c.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDV66/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -I = -16A C Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -2.0V(Max.)@ I = -10A CE(sat) C Complement to Type BDV67/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching appli
bdv66 a b c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDV66/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= -16A Collector-Emitter Saturation Voltage- VCE(sat)= -2.0V(Max.)@ IC= -10A Complement to Type BDV67/A/B/C APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(
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Liste
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