BDV66 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDV66
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 16 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
Paquete / Cubierta: TOP3
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BDV66 Datasheet (PDF)
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isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDV66/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = -16ACCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = -2.0V(Max.)@ I = -10ACE(sat) CComplement to Type BDV67/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stages and general amplifierand switching appli
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