2N2919DCSM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N2919DCSM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: LCC2

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N2919DCSM

2N2919DCSM Datasheet (PDF)

8.1. Size:28K semelab
2n2919.pdf

2N2919SEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)8.51 (0.335)9.40 (0.370)DUAL NPN7.75 (0.305)8.51 (0.335)PLANAR TRANSISTORS IN TO77 PACKAGE1.02(0.040)Max.0.41 (0.016)0.53 (0.021)5.08(0.200)2.54(0.100)42.545(0.100)0.74 (0.029)3 61.14 (0.045)2145 0.71 (0.028)0.86 (0.034)TO77 PACKAGEPIN 1 Collector 1 PIN 4 Emitter 2

8.2. Size:288K microsemi
2n2919l.pdf

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com NPN SILICON DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500 /355 DEVICES LEVELS 2N2919 2N2919L 2N2919U JAN

8.3. Size:288K microsemi
2n2919u.pdf