2N292 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N292

Material: Ge

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.065 W

Tensión colector-base (Vcb): 15 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 2 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO22

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2N292 datasheet

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2N292

2N2920AHR Hi-Rel NPN dual matched bipolar transistor 60 V, 0.03 A Datasheet - production data Features BVCEO 60 V IC (max) 0.03 A HFE at 10 V - 150 mA > 300 Operating temperature range -65 C to +200 C Hi-Rel NPN dual matched bipolar transistor TO-77 LCC-6 Linear gain characteristics ESCC qualified European preferred part list - EPPL Figure 1. Internal schematic

 0.3. Size:11K  semelab
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2N292

2N2920ADCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar NPN Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 60V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.03A C (0

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