BDW12 Todos los transistores

 

BDW12 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDW12
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 180 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

BDW12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  inchange semiconductor
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BDW12

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BDW12DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh Current CapabilityWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC5443 | DTA024EEB | ZTX454 | BF393 | KRC407V | DMC56603

 

 
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