BDW22A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDW22A
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO3
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BDW22A datasheet
bdw22.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistors BDW22 DESCRIPTION With TO-3 Package High Current Capability Wide area of safe operation Complement to Type BDW21 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. ABSOLUTE
Otros transistores... BDW14A , BDW16 , BDW16A , BDW21 , BDW21A , BDW21B , BDW21C , BDW22 , MJE350 , BDW22B , BDW22C , BDW23 , BDW23A , BDW23B , BDW23C , BDW24 , BDW24A .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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