BDW43 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDW43
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de BDW43
BDW43 datasheet
bdw43.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW43 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 120V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain h = 1000(Min) @I = 5A FE C Low Collector Saturation Voltage V = 2.0V(Max.)@ I = 5.0A CE(sat) C = 3.0V(Max.)@ I = 10A C Complement to Type BDW48 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable opera
Otros transistores... BDW30 , BDW32 , BDW34 , BDW36 , BDW39 , BDW40 , BDW41 , BDW42 , TIP41 , BDW44 , BDW45 , BDW46 , BDW48 , BDW51 , BDW51A , BDW51B , BDW51C .
History: 3DD13005_G7D | TD13005DSMD | 2SD675 | A1586 | BR3DD13005LP7R | 3DD13005ED-V
History: 3DD13005_G7D | TD13005DSMD | 2SD675 | A1586 | BR3DD13005LP7R | 3DD13005ED-V
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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