BDW53A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDW53A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 750
Encapsulados: TO220
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BDW53A datasheet
bdw53.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW53 DESCRIPTION High DC Current Gain h = 750(Min.)@ I = 1.5A, V = 3V FE C CE High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 45V(Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage Complement to Type BDW54 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Desi
Otros transistores... BDW51 , BDW51A , BDW51B , BDW51C , BDW52 , BDW52A , BDW52C , BDW53 , 13009 , BDW53B , BDW53C , BDW53D , BDW54 , BDW54A , BDW54B , BDW54C , BDW55 .
History: 2SC498R
History: 2SC498R
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