BDW93CFI Todos los transistores

 

BDW93CFI . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDW93CFI
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15000
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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BDW93CFI Datasheet (PDF)

 7.1. Size:91K  st
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BDW93CFI

BDW93CFPBDW94CFPCOMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE FULLY MOLDED INSULATED PACKAGE 2000 V DC INSULATION (U.L. COMPLIANT)321APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALT0-220FPEQUIPMENT

 7.2. Size:41K  fairchild semi
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BDW93CFI

BDW93CFHammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Darlington TR Complement to BDW94CF respectivelyTO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V IC Collector Current (DC) 12 A I

 7.3. Size:191K  inchange semiconductor
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BDW93CFI

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW93CFPDESCRIPTIONWith TO-220F packagingVery high DC current gainMonolithic darlington transistor with integratedantiparallel collector-emitter diodeComplement to Type BDW94CFPMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAC-DC motor controlElec

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History: DTD123TK | BCP56-16T1

 

 
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