BDX13-5 Todos los transistores

 

BDX13-5 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDX13-5
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 117 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

BDX13-5 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:195K  inchange semiconductor
 bdx13.pdf pdf_icon

BDX13-5

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BDX13DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-h =15-60@I = 8AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0 V(Max)@ I = 4ACE(sat C100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for general-purpose switching

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MMBT2484LT1G | BD14016S | 3DD4518_A6D | DMG56404 | BDX25-10 | NSBA113EDXV6T1 | BC807

 

 
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