BDX13-7 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDX13-7
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 117 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: TO3
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BDX13-7 datasheet
bdx13.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BDX13 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain-h =15-60@I = 8A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0 V(Max)@ I = 4A CE(sat C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for general-purpose switching
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