BDX13-7 Todos los transistores

 

BDX13-7 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDX13-7
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 117 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO3

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BDX13-7 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:195K  inchange semiconductor
bdx13.pdf

BDX13-7
BDX13-7

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BDX13DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-h =15-60@I = 8AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0 V(Max)@ I = 4ACE(sat C100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for general-purpose switching

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History: BFS11 | BF369K | BD535J | 2S11 | MPQ5401 | BF286 | D41DU7

 

 
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