BDX24-7 Todos los transistores

 

BDX24-7 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDX24-7
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 29 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDX24-7 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
 bdx24.pdf pdf_icon

BDX24-7

isc Silicon NPN Power Transistor BDX24DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 40V (Min)(BR)CEOExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for general purpose switching and amplifierapplicationsABSO

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History: KT501L | DTA023EM | 2SD1571 | AF280 | 2SC2814F4

 

 
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