2N2928 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N2928

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 15 V

Tensión colector-emisor (Vce): 13 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 400 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 8

Encapsulados: TO33-1

 Búsqueda de reemplazo de 2N2928

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2N2928 datasheet

 9.1. Size:331K  general electric
2n292 2n293.pdf pdf_icon

2N2928

 9.2. Size:35K  general electric
2n2926.pdf pdf_icon

2N2928

 9.3. Size:407K  st
2n2920ahr.pdf pdf_icon

2N2928

2N2920AHR Hi-Rel NPN dual matched bipolar transistor 60 V, 0.03 A Datasheet - production data Features BVCEO 60 V IC (max) 0.03 A HFE at 10 V - 150 mA > 300 Operating temperature range -65 C to +200 C Hi-Rel NPN dual matched bipolar transistor TO-77 LCC-6 Linear gain characteristics ESCC qualified European preferred part list - EPPL Figure 1. Internal schematic

 9.4. Size:11K  semelab
2n2920adcsm.pdf pdf_icon

2N2928

2N2920ADCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar NPN Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 60V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.03A C (0

Otros transistores... 2N2926B, 2N2926G, 2N2926O, 2N2926R, 2N2926Y, 2N2927, 2N2927-46, 2N2927-51, A1941, 2N2929, 2N292A, 2N293, 2N2930, 2N2931, 2N2932, 2N2933, 2N2934