BDX60 Todos los transistores

 

BDX60 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDX60

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 70 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.8 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de BDX60

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BDX60 datasheet

 ..1. Size:201K  inchange semiconductor
bdx60.pdf pdf_icon

BDX60

isc Silicon NPN Power Transistor BDX60 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 70V (Min) (BR)CEO High Current Capability Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM

Otros transistores... BDX54D , BDX54E , BDX54F , BDX54H , BDX54S , BDX55 , BDX56 , BDX57 , C1815 , BDX60-4 , BDX60-5 , BDX60-6 , BDX60-7 , BDX61 , BDX61-4 , BDX61-5 , BDX61-6 .

History: 2N400

 

 

 

 

↑ Back to Top
.