BDX61-5 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDX61-5
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 35
Encapsulados: TO3
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BDX61-5 datasheet
bdx61.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDX61 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V (Min) (BR)CEO High Current Capability Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. ABSOLU
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History: 2SB1202S | BC416B | BDX61-7 | ZXT790AK | 2SC5501A-4-TR-E | 2N5880 | BDAP54A
History: 2SB1202S | BC416B | BDX61-7 | ZXT790AK | 2SC5501A-4-TR-E | 2N5880 | BDAP54A
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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