2N292A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N292A
Material: Ge
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO22
Búsqueda de reemplazo de 2N292A
2N292A Datasheet (PDF)
2n2920ahr.pdf

2N2920AHRHi-Rel NPN dual matched bipolar transistor 60 V, 0.03 ADatasheet - production dataFeaturesBVCEO 60 VIC (max) 0.03 AHFE at 10 V - 150 mA > 300Operating temperature range -65C to +200C Hi-Rel NPN dual matched bipolar transistor TO-77 LCC-6 Linear gain characteristics ESCC qualified European preferred part list - EPPLFigure 1. Internal schematic
2n2920adcsm.pdf

2N2920ADCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar NPN Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 60V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.03A C(0
Otros transistores... 2N2926O , 2N2926R , 2N2926Y , 2N2927 , 2N2927-46 , 2N2927-51 , 2N2928 , 2N2929 , 13003 , 2N293 , 2N2930 , 2N2931 , 2N2932 , 2N2933 , 2N2934 , 2N2935 , 2N2936 .



Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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