BDX73 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDX73
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 70 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO220
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BDX73 datasheet
bdx73.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDX73 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power linear and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 80 V CBO V Collector
Otros transistores... BDX68C , BDX69 , BDX69A , BDX69B , BDX69C , BDX70 , BDX71 , BDX72 , C3198 , BDX74 , BDX75 , BDX77 , BDX77F , BDX78 , BDX78F , BDX83 , BDX83A .
History: BC857C | BEL187
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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