BDX83 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDX83
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 750
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BDX83
BDX83 Datasheet (PDF)
bdx83 bdx83a bdx83b bdx83c.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX83/A/B/CDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 45V(Min)- BDX83; 60V(Min)- BDX83ACEO(SUS)80V(Min)- BDX83B; 100V(Min)- BDX83CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower switchingHammer driversSe
bdx83 a b c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX83/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ IC= 5A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 45V(Min)- BDX83; 60V(Min)- BDX83A 80V(Min)- BDX83B; 100V(Min)- BDX83C APPLICATIONS Power switching Hammer drivers Series and shunt regulators A
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BDX63L
History: BDX63L
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GN1A3Q | D965-KEHE | 2SD662B | 2SD661A | 2SC3080 | S9018L | S9012J | 2SA73L | 2SA73H | 2SA1015H | WT955 | TS13005CK | TP5001P3 | SS8550W-L | SS8550W-J | SS8550W-H | SS8550E | SS8550D | SS8550C | SS8050E | SS8050D