BDX83 Todos los transistores

 

BDX83 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDX83

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 750

Encapsulados: TO3

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BDX83 datasheet

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BDX83

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX83/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 1000(Min)@ I = 5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 45V(Min)- BDX83; 60V(Min)- BDX83A CEO(SUS) 80V(Min)- BDX83B; 100V(Min)- BDX83C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power switching Hammer drivers Se

 ..2. Size:214K  inchange semiconductor
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BDX83

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX83/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- hFE= 1000(Min)@ IC= 5A Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 45V(Min)- BDX83; 60V(Min)- BDX83A 80V(Min)- BDX83B; 100V(Min)- BDX83C APPLICATIONS Power switching Hammer drivers Series and shunt regulators A

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History: 2SC950

 

 

 

 

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