BDX85A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDX85A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 750
Encapsulados: TO3
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BDX85A datasheet
bdx85 bdx85a bdx85b bdx85c.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX85/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 750(Min)@ I = 3A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 45V(Min)- BDX85; 60V(Min)- BDX85A CEO(SUS) 80V(Min)- BDX85B; 100V(Min)- BDX85C Complement to Type BDX86/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Design
bdx85 a b c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX85/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- hFE= 750(Min)@ IC= 3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 45V(Min)- BDX85; 60V(Min)- BDX85A 80V(Min)- BDX85B; 100V(Min)- BDX85C Complement to Type BDX86/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in power linear and s
Otros transistores... BDX83A , BDX83B , BDX83C , BDX84 , BDX84A , BDX84B , BDX84C , BDX85 , BC549 , BDX85B , BDX85C , BDX86 , BDX86A , BDX86B , BDX86C , BDX87 , BDX87A .
History: 2SD1807 | BDX86A
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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