BDY13 Todos los transistores

 

BDY13 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDY13

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 26 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO3

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BDY13 datasheet

 0.1. Size:207K  inchange semiconductor
 bdy13-6.pdf pdf_icon

BDY13

isc Silicon NPN Power Transistor BDY13-6 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min.) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1V(Max)@ I = 3A CE(sat C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for LF signal powe amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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