BDY13B Todos los transistores

 

BDY13B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDY13B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 26 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDY13B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
 bdy13-6.pdf pdf_icon

BDY13B

isc Silicon NPN Power Transistor BDY13-6DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1V(Max)@ I = 3ACE(sat CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for LF signal powe amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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History: TN3403 | 2SD1348 | CHEMT2GP

 

 
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