BDY13B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDY13B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 26 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO3
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BDY13B Datasheet (PDF)
9.1. Size:207K inchange semiconductor
bdy13-6.pdf
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isc Silicon NPN Power Transistor BDY13-6DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1V(Max)@ I = 3ACE(sat CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for LF signal powe amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI
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