BDY28B Todos los transistores

 

BDY28B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDY28B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 87 W
   Tensión colector-base (Vcb): 500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 75
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

BDY28B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:258K  comset
 bdy26-bdy27-bdy28-183t2-184t2-185t2.pdf pdf_icon

BDY28B

COMSETSEMICONDUCTORSBDY26, 183 T2BDY27, 184 T2BDY28, 185 T2NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSEDMESALF Large Signal Power AmplificationHigh Current Fast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Ratings Value UnitBDY26, 183T2 180VCEO Collector-Emitter Voltage BDY27, 184T2 200 VBDY28, 185T2 250BDY26, 183T2 300VCBO Collector-Base Voltage BDY27, 184T2 400 VBDY28, 185T2 50

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
 bdy28.pdf pdf_icon

BDY28B

isc Silicon NPN Power Transistor BDY28DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 250V(Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.6V(Max)@ I = 2ACE(sat CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for LF signal powe amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RAT

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: TRF464 | D45H11G | 2SC414 | 2SC1622D17 | ZTX223L | RCA126 | ZTX3709L

 

 
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