BDY28B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDY28B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 87 W
Tensión colector-base (Vcb): 500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 75
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BDY28B
BDY28B Datasheet (PDF)
bdy26-bdy27-bdy28-183t2-184t2-185t2.pdf
COMSETSEMICONDUCTORSBDY26, 183 T2BDY27, 184 T2BDY28, 185 T2NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSEDMESALF Large Signal Power AmplificationHigh Current Fast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Ratings Value UnitBDY26, 183T2 180VCEO Collector-Emitter Voltage BDY27, 184T2 200 VBDY28, 185T2 250BDY26, 183T2 300VCBO Collector-Base Voltage BDY27, 184T2 400 VBDY28, 185T2 50
bdy28.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDY28DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 250V(Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.6V(Max)@ I = 2ACE(sat CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for LF signal powe amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RAT
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: GBD267 | MJE13003A
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050