BDY39 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDY39
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 115 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO3
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BDY39 datasheet
bdy39.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDY39 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain- h =25-100@I = 4A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 0.7V(Max)@ I = 4A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power AF output stages and in stabilized power supplies. A
Otros transistores... BDY28A , BDY28B , BDY28C , BDY29 , BDY34 , BDY37 , BDY37A , BDY38 , C3198 , BDY39-4 , BDY39-6 , BDY42 , BDY43 , BDY44 , BDY45 , BDY46 , BDY47 .
History: MA6101 | BDY80C | BDY79 | 2SC1978 | BDY28C | BDY74 | BDY80A
History: MA6101 | BDY80C | BDY79 | 2SC1978 | BDY28C | BDY74 | BDY80A
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