BDY43 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDY43
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 600 V
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 12 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO3
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BDY43 datasheet
bdy43.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDY43 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 300V(Min.) (BR)CEO DC Current Gain- h =20(Min.)@I = 1A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.5V(Max)@ I = 5A CE(sat C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Voltage regulator Inve
Otros transistores... BDY34 , BDY37 , BDY37A , BDY38 , BDY39 , BDY39-4 , BDY39-6 , BDY42 , S9013 , BDY44 , BDY45 , BDY46 , BDY47 , BDY48 , BDY48-200 , BDY48-300 , BDY48-400 .
History: 2SD1138C
History: 2SD1138C
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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